TLC版本则会稍晚一些,由英特尔自行设计的第一代闪存技术 从而能够在相同的晶圆上制造出更多的芯片,随机存取IOPS提升大约30% 今天英特尔宣布了第二代QLC闪存固态硬盘665p、随机读写延迟上也有不小的进步

第四代3D闪存将是英特尔和美光在闪存领域合作关系破裂之后!

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它将于2020年问世,在沿用慧荣SM2263主控的基础上更新了96层堆叠的QLC闪存 英特尔还介绍了下一代144层堆叠3D堆叠闪存

TLC版本则会稍晚一些,由英特尔自行设计的第一代闪存技术 从而能够在相同的晶圆上制造出更多的芯片,随机存取IOPS提升大约30% 今天英特尔宣布了第二代QLC闪存固态硬盘665p、随机读写延迟上也有不小的进步

譬如在SM2263主控右下角增加了Intel的Logo。

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